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AB类PA设计（二）：体硅CMOS工艺特性与MOS管尺寸和偏置选择
AB类功率放大器设计系列教程第二章：分析体硅CMOS工艺的低阻衬底损耗机制、寄生电容及fT与fmax的定义与工作频率裕度，讨论器件击穿电压与安全工作区的约束，并基于负载线理论给出65nm体硅工艺下功率MOS管尺寸与栅极偏置的确定方法及设计流程。
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AB类PA设计（一）：功率放大器核心指标的定义与架构选择
AB类功率放大器设计系列教程第一章：阐明AB类工作状态在效率与线性之间的折中机理，以公式定义输出功率、功率附加效率、增益、P1dB、OIP3与EVM等核心指标，比较单端与差分架构及驱动级与功率级的增益和功率分配，并给出28GHz、65nm CMOS两级全差分功率放大器的设计指标。
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使用Calibre PEX提取高频电路有源版图寄生参数
使用Calibre PEX提取高频有源版图寄生参数的流程：在Virtuoso中对通过DRC与LVS校验的版图执行Run PEX，从规则文件设置、输出设置、电感处理与场求解器四个部分说明参数配置；方法适用于数十GHz量级的核心电路版图，自制电感与变压器等无源器件应改用电磁仿真获取结果。
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开源：功率放大器学术图像绘制-Python
功率放大器学术图像绘制的Python开源方案：提供三个脚本，按约定的CSV列顺序读取仿真数据，分别绘制小信号S参数曲线、单频点大信号功率扫描曲线以及大信号频率扫描曲线，并输出PNG图像，适用于论文与报告中的PA特性图绘制。
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基于变压器的匹配网络（TMN）的一种设计方法
变压器匹配网络（TMN）设计方法的文献笔记：分析毫米波功率放大器级联中由增益失配引起的功率退化及TMN的设计难点，依据TMN模型推导匹配方程，给出指定源阻抗与负载条件下全部可行参数解的求法。
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《RF Power Amplifiers（KAZIMIERCZUK）》学习笔记（一）：基础知识概述
《RF Power Amplifiers》第一章学习笔记：阐述射频功率放大器由有源器件、输入输出匹配网络与射频扼流圈构成，区分MOS器件工作于受控电流源、开关与过驱动三类状态的条件，并依据导通角对功率放大器类别进行划分。