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AB类PA设计(二):体硅CMOS工艺特性与MOS管尺寸和偏置选择
本文是AB类PA设计系列教程的第二章节。在本章中,将简单介绍体硅CMOS工艺的射频特性和MOS器件自身特性与设计规范之间的关联。同时,基于负载线理论,本章给出了一种MOS管尺寸和栅极偏压的设计方法,并基于给出的方法提供了65nm体硅CMOS工艺下PA功率MOS管尺寸和偏压的简单设计流程。
2026-10-16
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AB类PA设计(二):体硅CMOS工艺特性与MOS管尺寸和偏置选择
AB类PA设计(一):功率放大器核心指标的定义与架构选择
想做 AB 类 PA,却被 Pout、PAE 和一堆线性度指标绕晕?本文作为系列教程的第一章,讲透 P1dB、OIP3、EVM 的定义,还对比单端与差分架构该怎么选、驱动级与功率级增益功率如何分配,最后落到一颗 28GHz、65nm CMOS 两级全差分 PA 的完整指标表,从理论到落地一次打通,做射频的可以收下~
2026-10-15
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AB类PA设计(一):功率放大器核心指标的定义与架构选择